東莞市高能工業(yè)氣體有限公司
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半導(dǎo)體工業(yè)常用的混合氣體
1、外延（生長(zhǎng)）混合氣：在半導(dǎo)體工業(yè)中，在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法，生長(zhǎng)一層或多層材料所用的氣體叫作外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅（DCS）、四氯化硅（SiCl4）和硅烷等。主要用于外延硅淀積、氧化硅膜淀積、氮化硅膜淀積，太陽(yáng)能電池和其它光感受器的非晶硅膜淀積等。外延是一種單晶材料淀積并生長(zhǎng)在襯底表面上的過(guò)程。 3、摻雜混合氣：在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中，進(jìn)口電子氣體加微信號(hào)bluceren咨詢(xún)了解。將某些雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體材料內(nèi)，使材料具有所需要的導(dǎo)電類(lèi)型和一定的電阻率，以制造電阻、PN結(jié)、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱(chēng)為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常將摻雜源與運(yùn)載氣體（如氬氣和氮?dú)猓┰谠垂裰谢旌希旌虾髿饬鬟B續(xù)注入擴(kuò)散爐內(nèi)并環(huán)繞晶片四周，在晶片表面沉積上摻雜劑，進(jìn)而與硅反應(yīng)生成摻雜金屬而徙動(dòng)進(jìn)入硅。 4、蝕刻混合氣：蝕刻就是將基片上無(wú)光刻膠掩蔽的加工表面（如金屬膜、氧化硅膜等）蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來(lái)，以便在基片表面上獲得所需要的成像圖形。蝕刻方法有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法化學(xué)蝕刻所用氣體稱(chēng)為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體（鹵化物類(lèi)），例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。 |
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