分子式：NF3。
基本性質(zhì):氣體分子量：71.01，熔點(diǎn)：–206.8℃（1atm），沸點(diǎn)：–129℃（1atm），臨界溫度：–39.3℃，臨界壓力：44.02atm（4.46MPa），液體密度：1554 kg/m3（1atm，沸點(diǎn)時(shí)），氣體密度：2.95 kg/m3（1atm,21℃），水中溶解度（1atm，22℃）：1.43×10-5當(dāng)量濃度。純凈的NF3氣體是一種無色無味的氣體，當(dāng)混入一定量的雜質(zhì)氣體后顏色發(fā)黃，同時(shí)會有發(fā)霉或刺激性氣味。NF3氣體不可燃，但能助燃。當(dāng)溫度超過350℃時(shí)，三氟化氮?dú)怏w會緩慢分解，分解時(shí)產(chǎn)生強(qiáng)氧化性氟，因此，在高溫下它是一種強(qiáng)氧化劑。
CAS No.：7783-54-2。
UN UN.：2451
危險(xiǎn)性類別：第2.3類有毒氣體，在空氣中的最高允許含量為29mg/m3。
產(chǎn)品純度: 99.99%~99.995%
產(chǎn)品包裝:47L專用鋼瓶,22kg/瓶;40L專用鋼瓶,20kg/瓶;8L專用鋼瓶,3.4kg/瓶;鋼瓶標(biāo)準(zhǔn)：DOT-3AA, GB5099；閥門：CGA330、CGA640

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產(chǎn)品用途:

三氟化氮是一種強(qiáng)氧化劑。三氟化氮在微電子工業(yè)中作為一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，在離子蝕刻時(shí)裂解為活性氟離子，這些氟離子對硅和鎢化合物，高純?nèi)哂袃?yōu)異的蝕刻速率和選擇性（對氧化硅和硅），它在蝕刻時(shí)，在蝕刻物表面不留任何殘留物，是非常良好的清洗劑，同時(shí)在芯片制造、高能激光器方面得到了大量的運(yùn)用。

三氟化氮是用作氟化氫－氟化氣高能化學(xué)激光器的氟源，在h2-O2 與F2之間反應(yīng)能的有效部分（約25％）可以以激光輻射釋放出，所HF-OF激光器是化學(xué)激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業(yè)中一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，對硅和氮化硅蝕刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性，而且對表面無污染，尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中，三氟化氮具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性，在被蝕刻物表面不留任何殘留物，同時(shí)也是非常良好的清洗劑。隨著納米技術(shù)的發(fā)展和電子工業(yè)大規(guī)模的發(fā)展技術(shù)，它的需求量將日益增加。

注意事項(xiàng):如遇有NF3氣體泄露，工作人員要馬上撤離泄漏污染區(qū)，并盡可能采取措施阻止NF3氣體的進(jìn)一步泄露。如有工作人員中毒，應(yīng)立即送往醫(yī)院救治。泄露現(xiàn)場要盡快處理，處理泄露現(xiàn)場的工作人員必須配戴必要的防毒面具，最好是自給正壓式呼吸器。泄露現(xiàn)場經(jīng)檢測無危害氣體后方可進(jìn)入工作人員，泄露容器必須經(jīng)仔細(xì)檢查、維修或妥善處理好后方可繼續(xù)使用。NF3氣瓶應(yīng)儲存于陰涼、通風(fēng)倉庫內(nèi)，倉庫溫度不宜超過30℃。NF3氣瓶應(yīng)遠(yuǎn)離火種、熱源、防止陽光直射，與還原劑、易燃或可燃物等分開存放。NF3氣瓶在搬運(yùn)時(shí)要輕裝、輕卸，防止鋼瓶及附件破損。NF3氣瓶的運(yùn)輸按危險(xiǎn)品運(yùn)輸。運(yùn)輸時(shí)用氣瓶固定架將NF3氣瓶固定好，用汽車公路運(yùn)輸或用輪船集裝箱運(yùn)輸。

三氟化氮哪里有？東莞高能工業(yè)氣體有。詳情聯(lián)系何經(jīng)理：13927730509